Innovation. Coûte 1 énergie de moins.
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Le MODFET ou transistor à effet de champ à dopage modulé est un type de transistor à effet de champ (FET). Il est connu aussi sous le nom de HEMT, ou transistor à haute mobilité électronique. Ce composant se distingue par sa capacité à exploiter un gaz d’électrons bidimensionnel (2DEG), qui confère aux électrons une mobilité élevée. Cette caractéristique en fait un élément idéal pour les applications nécessitant des fréquences élevées.
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